Nexperiaは業界をリードする1200Vのシリコン・カーバイド（SiC）MOSFETを、D²PAK-7表面実装（SMD）パッケージに封止して提供すると発表しました。R_DSon値は30、40、60、80mΩから選択可能です。今回発表した新製品は2023年後半にリリースした3ピン/4ピンTO-247封止のディスクリートSiC MOSFETの2製品に続くものです。これを皮切りに、SiC MOSFETポートフォリオは急速に拡充され、R_DSon値17、30、40、60、80mΩのデバイスをフレキシブルなパッケージ・オプションで提供します。

 

今回発表したNSF0xx120D7A0はD²PAK-7などのSMDに封止された高性能SiCスイッチに対する市場の需要の高まりに対応するものです。D²PAK-7は電気自動車（EV）の充電（充電ステーション、オフボード充電）、無停電電源装置（UPS）、太陽光発電/蓄電システム（ESS）用インバータなど、多様な産業用アプリケーションで普及が進んでいます。また、今回の発表はNexperiaと三菱電機株式会社（MELCO）の戦略的提携の成功を示すものでもあります。両社は協力してSiCワイドバンドギャップ半導体のエネルギー効率と電気特性をさらに高いレベルに押し上げると共に、増大し続ける市場ニーズに応えるため、このテクノロジーの生産能力を今後も増強していきます。

 

R_DS(on)は導通損失に影響するため、SiC MOSFETにおいて重要な性能パラメータとされています。

しかし、多くのメーカーは公称値にフォーカスを当てており、デバイスの動作温度が上昇すると公称値が100%以上増加し、大幅な導通損失が生じるという事実が無視されています。Nexperiaではこの点が現在市販されている多くのSiCデバイスの性能における制約要因であると考え、革新的なプロセス技術の特長を活かして25℃～175℃の動作温度範囲でR_DS(on)公称値の増加がわずか38%という、業界でもトップクラスの温度安定性を持つ新しいSiC MOSFETを開発しました。

 

非常に厳格なしきい値電圧V_GS(th)仕様を設けることにより、NexperiaのディスクリートMOSFETは並列接続時にバランスの取れた通電性能を発揮します。さらに、ボディ・ダイオード順方向電圧（V_SD）が低いため、デバイスの堅牢性と効率を高める一方で、フリーホイール動作時のデッドタイム要件を緩和します。

 

NexperiaのSiC MOSFETについて、詳細は以下のサイトをご覧ください。https://www.nexperia.com/sic-mosfets

 

Nexperiaについて

オランダに本社を置くNexperiaはヨーロッパの豊かな歴史を持ち、欧州、アジア、米国で15,000人以上の従業員を擁するグローバル半導体企業です。Nexperiaは必要不可欠な半導体の開発・製造におけるエキスパートとして、自動車、産業からモバイル、コンシューマ向けアプリケーションまで、世界のほぼすべての電子機器の基本機能を実現する部品を提供しています。世界のお客様に向けてサービスを提供しており、製品の年間出荷台数は1,000億以上に及びます。Nexperiaの製品はプロセス、サイズ、消費電力、性能における効率性のベンチマークとして高い評価を得ています。Nexperiaは革新性、効率性、持続可能性、厳しい業界要件への対応に注力しており、そのことは充実したIPポートフォリオ、製品ラインナップの拡充、IATF16949、ISO9001、ISO14001、ISO45001規格への準拠に現れています。

 

Nexperia: Efficiency wins.

 

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