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碳化硅(SiC)肖特基二极管

碳化硅肖特基二极管，适用于快速开关电源转换

Nexperia适合超高性能、低损耗和高效功率转换应用的领先碳化硅(SiC)肖特基二极管。碳化硅肖特基二极管具有不受温度影响的电容关闭和零恢复开关特性，以及出色的品质因数(Qc x VF)。合并PiN肖特基二极管提高了稳健性，可耐受高IFSM。

主要特性

  • 零正向和反向恢复
  • 开关性能不受温度影响
  • 开关操作快速流畅
  • 高IFSM能力
  • 低泄漏电流
  • 易于并联/正温度系数
  • 出色的品质因数(Qc x VF)
  • 高达175 °C结温的热稳定性
  • AEC-Q101质量标准

关键应用

  • 工业和消费类应用
  • 开关模式电源(SMPS)
  • 交流-直流和直流-直流转换器
  • 电池充电基础设施
  • 服务器和电信电源
  • 不间断电源(UPS)
  • 光伏逆变器

汽车应用：

  • 车载充电器(OBC)
  • 逆变器
  • 高压直流-直流转换器

产品范围

主要优势

  • 高功率密度
  • 降低系统成本
  • 系统小型化
  • 高温工作
  • 减少EMI
  • 提高了耐用性和可靠性

参数搜索

Silicon Carbide (SiC) Schottky diodes
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产品

型号 描述 状态 快速访问
PSC1065H 650 V, 10 A SiC Schottky diode in DPAK R2P Production
PSC1065K 650 V, 10 A SiC Schottky diode in TO-220-2 R2P Production
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Brochure (1)
文件名称 标题 类型 日期
nexperia_DIODE_Handbook Nexperia DIODE Handbook Chinese Brochure 2023-09-20

Leaflet (2)
文件名称 标题 类型 日期
Nexperia_document_factsheet_SiC_CN SiC肖特基二极管 全新高功率碳化硅二极管产品组合 Leaflet 2022-04-25
Nexperia_document_SiC-factsheet SiC Schottky Diodes - New Silicon Carbide Diode portfolio for high-power Leaflet 2021-11-05

Selection guide (1)
文件名称 标题 类型 日期
Nexperia_Selection_guide_2023 Nexperia Selection Guide 2023 Selection guide 2023-05-10

White paper (2)
文件名称 标题 类型 日期
2023-0001_NEX_080_Whitepaper_SiC-diodes_Chinese_FINAL_version 2023-0001_NEX_080_Whitepaper_SiC-diodes_Chinese White paper 2023-06-08
2023-0001_NEX_029_Whitepaper_SiC-diodes_V04 Whitepaper SiC diodes White paper 2023-04-21

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