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SiC MOSFETs

碳化硅(SiC) MOSFET——提高开关电源应用的安全性、稳健性和可靠性

Nexperia碳化硅MOSFET的RDSon温度稳定性卓越、开关速度快且短路鲁棒性高,可满足日益增长的大功率和高电压工业应用需求,是电动汽车充电基础设施、光伏逆变器和电机驱动器的优选产品。

设计优势

  • 开关损耗非常低
  • 反向恢复快
  • 开关速度快
  • 关断损耗不受结温影响
  • 体二极管速度快且稳健性佳

主要技术特性

  • 卓越的RDSon温度稳定性
  • 优异的栅极电荷及比值
    • 栅极驱动损耗低
    • 对寄生导通的耐受性高
  • 出色的阈值电压一致性
  • 体二极管正向压降非常低且稳健性高
  • 低漏电流可以在1200V耐压下使用

关键应用

  • 电动汽车充电基础设施
  • 光伏逆变器
  • 开关电源
  • 不间断电源
  • 电机驱动器

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SiC MOSFETs
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版本 名称 描述 安装方法 表面贴装 引脚 间距(mm) 占位面积(mm²) PDF
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Application note (1)

文件名称 标题 类型 日期
AN90048 Understanding of critical SiC parameters for efficient and stable designs Application note 2023-12-21

Brochure (2)

文件名称 标题 类型 日期
CHINESE_FINAL_2023-0001_NEX_181_SiC_MOSFETs_Factsheet_Update CHINESE_FINAL_2023_NEX_SiC_MOSFETs_Factsheet_Update Brochure 2023-11-29
Final_2023-0001_NEX_181_SiC_MOSFETs_Factsheet_Update_v02 NEX 181 SiC MOSFETs Factsheet v02 Brochure 2023-11-20

Data sheet (2)

文件名称 标题 类型 日期
NSF040120L3A0 1200 V, 40 mΩ, N-channel SiC MOSFET Data sheet 2023-12-06
NSF080120L3A0 1200 V, 80 mΩ, N-channel SiC MOSFET Data sheet 2023-12-06

Marcom graphics (1)

文件名称 标题 类型 日期
SOT429-2_TO-247-TL Plastic single-ended through-hole package; heatsink mounted; 1 mounting hole; 3-lead TO-247-3L Marcom graphics 2023-11-15

SPICE model (4)

文件名称 标题 类型 日期
NSF040120L4A0_model_LTspice_V1_0 NSF040120L4A0 LTspice model SPICE model 2024-03-21
NSF080120L4A0_model_LTspice NSF080120L4A0 LTspice model SPICE model 2024-02-29
NSF080120L3A0_model_LTspice NSF080120L3A0 LTspice model SPICE model 2024-02-29
NSF040120L3A0_model_LTspice NSF040120L3A0 LTspice model SPICE model 2024-02-29

User manual (1)

文件名称 标题 类型 日期
UM90031 A guide to using Nexperia SiC MOSFET LTspice models User manual 2024-02-29

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