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用于以太网供电(PoE)的ASFET

Enhanced SOA in a range of compact packages

增强的SOA、增强的保护、低导通电阻和更高的功率密度

最新的高功率48V以太网供电标准(IEEE 802.3bt)和专有方法使下一代PoE系统成为可能。此类系统可为各个通电设备提供高达100W的电力，包括大屏幕LCD显示器、5G皮蜂窝区、先进的Wi-Fi热点和平移倾斜变焦CCTV摄像机。这对PoE电源设备(PSE)提出了更高的要求，即与Nexperia专用PoE MOSFET系列相匹配的需求。

用于以太网供电(PoE)的ASFET专为配合使用最新的高功率、PSE控制器而设计：

  • MOSFET的主要作用是在向网络添加电容负载时安全地控制冲击电流
  • 扩展的增强安全操作区(SOA)能够承受短路故障情况引起的功耗，直到PSE控制器检测到故障并关闭为止
  • 增强的保护——我们的MOSFET提供的保护功能超过竞争性器件两倍多。在电缆短路故障期间，我们用于PoE的ASFET可在+60 ℃的环境温度下安全耗散高达30 W的电力长达20 ms
  • 要将更多高功率PoE端口压缩到紧凑型路由器/交换机中，需要LFPAK33封装的热效率和紧凑尺寸能够提供更高的功率密度。
   
    

电源设备/以太网供电

 

Nexperia实际应用

凌力尔特的LTC4279新PSE控制器数据手册中引用的PSMN075-100MSE、PSMN040-100MSE、PSMN4R8-100BSE MOSFET来自我们差异化的适用于热插拔和软启动的ASFET/适用于以太网供电的ASFET产品组合。

 

参数搜索

ASFETs for PoE, eFuse and relay replacement
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产品

型号 描述 状态 快速访问
PSMN040-100MSE N-channel 100 V 36.6 mΩ standard level MOSFET in LFPAK33 designed specifically for high power PoE applications Production
PSMN047-100NSE N-channel 100 V, 53 mOhm standard level ASFET with enhanced SOA in DFN2020. Designed for high power PoE, inrush management, eFuse and relay replacement Production
PSMN071-100NSE N-channel 100 V, 82 mOhm standard level ASFET with enhanced SOA in DFN2020. Designed for high power PoE, inrush management, eFuse and relay replacement Production
PSMN075-100MSE N-channel 100 V 71 mΩ standard level MOSFET in LFPAK33 designed specifically for PoE applications Production
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Application note (2)
文件名称 标题 类型 日期
AN50006 Power MOSFETs in linear mode Application note 2022-04-12
AN11158 Understanding power MOSFET data sheet parameters Application note 2020-07-06

Marcom graphics (1)
文件名称 标题 类型 日期
RS2780_PoE_blue-scr POE MarCom image Marcom graphics 2020-09-16

Selection guide (1)
文件名称 标题 类型 日期
Nexperia_Selection_guide_2023 Nexperia Selection Guide 2023 Selection guide 2023-05-10

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